晶 背 製程
「晶 背 製程」熱門搜尋資訊
【晶背供電護神山】靠黑科技狠甩英特爾、三星台廠助台積電 ...
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本刊調查，該技術得透過晶圓減薄及奈米矽穿孔（nTSV）等方式實現，而台廠正聯袂助攻護國神山力甩英特爾、三星2強，包括鑽石碟研磨耗材商中砂、原子層沉積（ALD） ...
晶背金屬化
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其是由BG、BM這兩個連續製程工藝所達成；首先研磨晶背（Backside Grinding；BG），減小其厚度，並讓表面略帶有粗糙度後，接著再沉積一層或多層金屬層（Backside Metallization；BM） ...
晶背供電是什麼？概念股有哪些？解析晶圓「埃米戰爭」殺手鐧
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在晶圓製造業中，比奈米更小的「埃米」級製程，晶背供電是其中關鍵技術，因此台積電、英特爾、三星都積極佈局。有哪些台廠成為受惠供應商？
晶背電源
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晶背供電是指在半導體晶片或積體電路(IC) 的背面布局供電線路的技術，而非傳統的正面供電方式。 這種方法增加了邏輯密度，同時也改善了功耗及效能。 為滿足當今的應用需求， ...
一文了解晶背供電技術(Backside Power Delivery Network
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根據台積電官網，目前研發的A16製程是下一代的奈米片(Nanosheet)電晶體技術，並會採用獨家「超級電軌」技術(Super Power Rail，SPR)，而SPR是具有獨創性、 ...
晶背金屬化
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晶背金屬化. 因應高速率運算所產生的熱效應，可利用裸晶背面披覆金屬層的方式來加快其導熱效率，較之傳統的Epoxy Molded 封裝晶粒其散熱效率有更好的表現。
TWI637431B
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一種晶背金屬化製程，包括：提供一晶圓；於該晶圓之背面形成一種子層，且該種子層係直接接觸該晶圓；以及利用化學鍍於該種子層上形成一金屬層，其中該金屬層的厚度在0.01μm至1μm ...
晶圓後段製程(BGBM)
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ProPowertek 宜錦導入專業人才與先進製程， 協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM) · 多種研磨製程解決方案 · 多種背金解決方案 · 背銀厚度達15um甚至可客製化到40um及 ...